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電界放出ナノSiCワイヤに使用される炭化ケイ素ナノワイヤ

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silicon carbide nanowire

電界放出ナノSiCワイヤに使用される炭化ケイ素ナノワイヤ

Honwu Nano は 2002 年以来、さまざまな要求を満たすさまざまな仕様のゼロ次元粒子、一次元ウィスカー、ナノワイヤなどのナノ炭化ケイ素材料を製造、供給してきました。バッチ生産材料として良好で安定した品質。

  • 商品番号.:

    D500C

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製品詳細

電界放出ナノSiCワイヤに使用される炭化ケイ素ナノワイヤ


仕様:

名前:炭化ケイ素ナノワイヤ(SiC-NWs)

直径: 100-500nm

長さ: 20-100um

純度: 99%

関連材料: ナノ/サブミクロン/ミクロン SiC パウダー、SiC ウィスカー


利点と応用:

SiC ナノワイヤは優れた機械的、電気化学的、熱伝導特性を備えているため、電界放出、強化および強化材料、スーパーキャパシタ、電磁波吸収装置の触媒作用、その他の分野など、多くの分野に応用できます。

電界放出の場合:
炭化ケイ素ナノワイヤーは優れた熱伝導率を持ち、そのバンドギャップ幅は 2.3 eV より高く、電界放出性能も優れているため、集積回路チップ、真空マイクロ電子デバイスなどに使用できます。 .

上記の情報は参考用です。詳細については、実際のアプリケーションとテストの対象となります。


ホットタグ :

電界放出用SiCナノワイヤー 電界放出用ナノSiCワイヤ 電界放出用炭化ケイ素ナノワイヤー
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