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炭化ケイ素ウィスカー SiC-W 中国メーカー

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SiC whisker

炭化ケイ素ウィスカー SiC-W 中国メーカー

炭化ケイ素ウィスカー(SiC-W)は、主にセラミック、金属、および樹脂ベースの強化および強化に使用されます。SiCウィスカはベータタイプがあり、熱伝導、耐食性、耐高温性、耐摩耗性、機械的特性などに優れています。

  • 製品起源:

    China

  • 商品番号.:

    D500B

  • 出荷口:

    China

  • 色:

    Greyish green

お問い合わせ

製品詳細

シリコンカーバイドウィスカ/SiC-w 中国メーカー


タイプ: ベータ段階

D500A、直径：0.1～2.5um、長さ：10～50um、99%

D500B、直径 0.1 ～ 1 um、長さ 5 ～ 30um、99%

D500C、SiC ナノワイヤ: 直径: 100-500nm、長さ: 50-100um



炭化ケイ素の使用について：

-----事前に分散された水とエタノールを機械的に中分散させ、 炭化ケイ素ウィスカー を使用する前にマトリックス材料と混合します。


------一般に一般的なセラミックは 1 ～ 10% の量で添加されます。母材の真密度が大きくなると、炭化ケイ素ウィスカーの添加量が減少します。0.5～3%の有機物添加量。

------炭化ケイ素ウィスカーとセラミック材料を混合する場合は、機械的攪拌またはウェットミリングのスラリーをお勧めします。これにより、高強度の混合条件で炭化ケイ素ウィスカーを減らして確率を下げることができます。

------半導体および触媒試験では、最高の結果を達成するための研究活動を増やすために、ソルベートを再度酸洗いすることをお勧めします。

------- 好気条件では、ウィスカの加熱温度は一般に 1450 ℃ を超えてはなりません。


炭化ケイ素ウィスカの詳細については、お気軽にお問い合わせください。





ホットタグ :

SiCウィスカ ベータ炭化ケイ素ウィスカ SiC-W
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