窒素ドープカーボンナノチューブを用いた良好な電子伝導性
窒素、ホウ素およびリンおよび炭素原子が同様の大きさである場合、グラファイト構造に挿入され、それによってカーボンナノチューブの化学的、機械的および電気的特性が変化する。特にN型ドーピングを有する窒素ドープカーボンナノチューブ、電子密度が窒素原子の周りで変化する、それは良好な電子伝導性を有し、触媒材料の電子効果の側面も独特の特性を示す。
窒素ドーピング法：カーボンナノチューブに窒素原子をドープして、ドープしたものを入れ替えて、グラフトタイプとし、グラフトタイプを使用しています。式中のグラフト反応は、窒素基、アミノ酸基などの化学基によって修飾されたカーボンナノチューブの窒素含有壁である。
準備：化学蒸着法。生成された化学気相成長は、窒素ドーピングされた質量分率は比較的低く、通常約3.5％である。より高いレベルを達成することは困難である。
触媒としての窒素ドープカーボンナノチューブは、直接触媒および触媒、スーパーキャパシタおよび不均一系触媒の能力を広範な研究、特に触媒担体として使用すると良好な性能を示す。カーボンナノチューブの窒素表面は、金属ナノ粒子の分散を改善し、活性部位との担体相互作用を高めることができる。
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