酸化亜鉛ナノワイヤ/ナノワイヤは、ショットキ接触型デバイスの製造のための理想的な材料として hongwuナノメートルは、中国のナノ材料のための中国の専門メーカー、サプライヤー、輸出業者です。当社の酸化亜鉛ナノワイヤの仕様は次のとおりです。 1.d：20~80nm、1：2um、99.9％ 2.d：u003c50nm、1：1-2um、99.9％ 3.d：u003c120nm、1：1~3um、99.9％ 核酸検出として、より多くの広く遺伝子タイピング技術、臨床診断や生物医学の研究や他の分野に適用されるように、従来の光学検出とリアルタイムのpcr技術は、高コストなどのいくつかの欠点を持って、もはやデバイスは、費用対効果の高い、高速で高感度のテストを必要とします。対照的に、高い比表面積のために、マークされていない検出装置によって表される1次元材料は、低コストで、簡単で効果的なdna試験の可能性を提供することができる。半導体ナノワイヤに基づくFETは、そのような可能性の高いデバイスである。ショットキ障壁高さ（sbh）の金属 - 半導体界面を変化させることは、研究者のためのホットスポットであるデバイス性能を変調することができる。 酸化亜鉛ナノワイヤ/ナノワイヤ 優れた半導体および圧電性能を備え、ショットキー接触型デバイスの製造に理想的な材料です。ナノサイエンスおよび他の機関の国立センターの研究者は、酸化亜鉛ナノワイヤ上に発揮する外部歪みを利用して圧電電位を生成した。圧電効果に基づいて、ポテンシャルはキャリア輸送のsbhリンク界面の影響を増減することができ、ナノワイヤベースのデバイスの特性を変更することができます。さらに、プローブ相補性標的cdnaとナノワイヤが吸着した一本鎖dna（ssdna）との間で特異的ハイブリダイゼーションを行うことにより、選択的検出機能を達成することができる。 この研究の実験結果は、酸化亜鉛ナノワイヤベースのdnaセンサに適用された圧縮歪みが-0.59％になったとき、電流応答の相対値が454％増加したことを示した。これは、圧電素子エレクトロニクス効果を使用する修正された方法が、ショットキーコンタクト型zナノワイヤベースのdnaセンサの検出性能を大幅に改善できることを十分に示している。 ゴシック様式