半導体用高品質シリコンカーバイドウィスカー
炭化ケイ素ウィスカーの情報：
炭化ケイ素粉末は、固定および移動タービン部品、サクションボックスカバー、シール、ベアリング、ボールバルブ部品、高温ガス流ライナー、熱交換器および半導体プロセス機器に使用される。さらに、βsicの微粉末およびウィスカーは、ポリマー材料、異なるコーティング材料、防衛産業材料、航空宇宙材料などの機械的性能、熱特性、耐磨耗性および耐食性を大幅に改善することができる。その後、βsicマイクロ粉末およびウィスカーがこれらの領域でますます適用されている。
炭化ケイ素ウィスカーの仕様：
分散ステップ：
ステップ1 ：s 選ぶ ing 分散媒。 w エタノール、イソプロパノール 等 大丈夫ですか？
ステップ2 ： 適切な分散剤を選択することが必要である。 pH値 〜すべき 7に近い 。
ステップ3 ： 調整する ing 分散媒ph。一般調整8 終わらせる。
ステップ4 。： 均等に攪拌する 仕上げです。
分散の注意：
1。 超音波およびボールミル機によって分散することができない。
2。 w ヒーターの加熱温度は700℃を超えてはならない 好気性条件下で培養する。
炭化ケイ素ウィスカーパウダーの詳細については、私に自由にご連絡ください。
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