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99.99%高純度ベータSiCナノ粉末

当社の4Nナノβ-SiC(純度99.99%)は、CVD法による精密合成により、超微細な粒子サイズと優れた焼結性を実現し、高密度セラミック部品に最適です。CMPチャックやリソグラフィステージからプラズマエッチングのフォーカスリングやチャンバーライナーまで、最も要求の厳しい半導体製造環境において優れた性能を発揮します。化学的に不活性で金属不純物のガス放出が最小限に抑えられているため、最も重要なチップ歩留まりを最大化します。世界中の大手半導体製造工場や装置メーカーから信頼されています。

  • 製品起源:

    CN
  • 出荷口:

    Shenzhen,Shanghai,Guangzhou
  • 色:

    Grey green
  • リードタイム:

    in stock
  • 支払い:

    T/T, PAYPAL
製品詳細
4Nナノシリコンカーバイド(β-SiC):特性と応用

99.99%ベータシック材料概要

ナノシリコンカーバイド(Nano-SiC)は、重要な第3世代ワイドバンドギャップ半導体材料です。その多形体の中でも、β相シリコンカーバイド(β-SiC、別名3C-SiC)は立方晶構造を持ち、高純度、超微細粒子サイズ、そして優れた総合特性を備えています。これは、ハイエンドシリコンカーバイドデバイス製造における中核的な基盤材料として用いられています。


99.99%ベータシック 準備プロセス

Hongwu Nano社による高純度ナノSiCの製造には、CVD(化学気相成長法)が採用されています。反応ガス比、温度、圧力などのプロセスパラメータを精密に制御することで、粉末の純度、粒度分布、結晶構造を正確に制御することが可能です。このプロセスにより、半導体製造業界の厳しい純度要件を満たす、純度99.99%(4N)を超えるナノスケールβ-SiC粉末を安定して生産できます。

99.99% Beta SiC Nanopowders

99.99%ベータシック 主要な性能特性

1. 優れた物理的特性

β-SiCは、ダイヤモンドと立方晶窒化ホウ素に次ぐ極めて高い硬度(モース硬度9.5)を有しており、耐摩耗性や精密加工用途において優れた特性を発揮します。また、熱伝導率も非常に高く(最大490 W/(m·K))、熱膨張係数が低く、耐熱衝撃性にも優れているため、極端な温度環境下でも構造的な安定性を維持できます。さらに、β-SiCは適度な密度(3.21 g/cm³)と非常に高い比剛性を有しており、精密な動作部品の軽量設計を容易にします。

2. 優れた化学的安定性

高純度β-SiCは、優れた耐酸化性を持ち、酸やアルカリによる腐食に強く、高い化学的不活性性を示します。高温かつ腐食性の高い半導体製造プロセス環境においても、長期にわたり安定した性能を維持し、重要部品の寿命を大幅に延ばします。

3.優れた半導体特性

β-SiCは、約2.3 eVのバンドギャップ、高い電子飽和ドリフト速度、大きな絶縁破壊電界強度、そして優れた熱安定性を有するワイドバンドギャップ半導体材料です。これらの特性により、構造材料としてだけでなく、特定の電子デバイス用途においても高い価値を発揮します。

4. ナノスケール効果

β-SiC粒子のサイズをナノスケールまで縮小すると、材料は顕著な表面効果、微小サイズ効果、および量子サイズ効果を示す。ナノ粉末は極めて大きな比表面積と高い焼結活性を有し、比較的低温での緻密化焼結を可能にするため、高性能・高密度の炭化ケイ素セラミック部品の製造に有利である。


99.99%ベータシック 主な応用分野s

1. 半導体製造装置における重要部品

半導体チップ製造の様々な段階において、高純度・超微細β-SiC粉末から焼結された精密部品は、かけがえのない役割を果たしている。

研削/研磨チャック:ウェーハ基板の研削および化学機械研磨(CMP)プロセスにおいて、SiCチャックは、その高い硬度、高い平面度、および優れた耐摩耗性を活かし、ウェーハを安定かつ確実に支持し、真空保持プラットフォームを提供することで、加工精度と表面品質を保証します。

リソグラフィ用チャック:フォトリソグラフィ工程において、SiCチャックはウェーハを精密に固定・位置決めするために使用されます。極めて低い熱膨張係数により、複雑な熱条件下でも寸法安定性が確保され、高精度なリソグラフィパターンの転写を実現します。

検査用チャック:ウェハー検査において、SiCチャックは様々な光学・電気検査装置に安定したウェハー積載プラットフォームを提供します。その高い剛性と低振動特性は、検査の解像度と信頼性の向上に貢献します。

高精度モーションステージ:半導体製造装置における高精度モーションシステムには、材料の剛性、熱安定性、軽量設計に関して極めて高い要求が課せられます。炭化ケイ素セラミックスは、高い比剛性、低い熱膨張率、優れた減衰特性を備えているため、高精度リニアモータガイドウェイ、エアベアリング部品、その他のモーション部品の製造に理想的な材料です。

エッチングプロセス用高純度SiC部品:プラズマエッチングプロセスでは、装置内部が腐食性の高いガスと高温プラズマにさらされます。高純度SiC部品(フォーカスリング、ガス分配プレート、チャンバーライナーなど)は、耐腐食性、耐プラズマ衝撃性、および低金属不純物アウトガス特性により、エッチングプロセスの均一性とチップ歩留まりを効果的に確保します。

パッケージングおよびテスト用高精度モーションシステム:チップのパッケージングおよび最終テスト段階では、SiC材料を使用して高精度なピックアンドプレース機構および搬送機構を製造し、パッケージングの精度とテストの安定性を確保します。

2. 太陽光発電産業への応用

太陽電池用シリコンウェハの製造において、SiCパドルは拡散炉や焼鈍炉などの高温熱処理装置における重要な荷重支持部品です。高純度・超微細β-SiC粉末から焼結されたSiCパドルは、耐熱性、耐変形性、低不純物汚染性といった特長を備えています。長時間の高温運転においてもシリコンウェハを安定的に支持し、金属汚染を効果的に防止することで、太陽電池の変換効率と製品品質を維持します。

3. その他のハイエンドアプリケーション分野

上記の主要な用途に加え、高純度ナノβ-SiC粉末は、航空宇宙分野の高温構造部品、原子力産業向けの耐放射線材料、ハイエンドベアリングおよびシール、特殊光学窓などにも幅広く使用されており、幅広い発展の可能性を秘めている。


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