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アミノ修飾多層カーボンナノチューブ、mwnt-nh2

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  • 99.99%ベータSiCナノ粉末

    99.99%高純度ベータSiCナノ粉末 当社の4Nナノβ-SiC(純度99.99%)は、CVD法による精密合成により、超微細な粒子サイズと優れた焼結性を実現し、高密度セラミック部品に最適です。CMPチャックやリソグラフィステージからプラズマエッチングのフォーカスリングやチャンバーライナーまで、最も要求の厳しい半導体製造環境において優れた性能を発揮します。化学的に不活性で金属不純物のガス放出が最小限に抑えられているため、最も重要なチップ歩留まりを最大化します。世界中の大手半導体製造工場や装置メーカーから信頼されています。 more

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    マグネリ相ナノチタン亜酸化物 Ti₄O₇ 粉末 マグネリ相 ナノ酸化チタンサブオキシド(Ti₄O₇)は、独自の結晶構造を持つ先進的な機能材料であり、青黒色の粉末として現れ、200〜300 nmの精密に制御された粒子サイズと最大99.9%の純度を特徴とする。チタン酸化物ファミリーの重要な一員として、Ti₄O₇は優れた導電性、化学的安定性、触媒活性を兼ね備えており、新エネルギー、環境保護、エレクトロニクス分野の用途に理想的な選択肢となっている。 more

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    窒化ホウ素ナノチューブ(BNNTs):高熱伝導放熱フィラー BNNTsはカーボンナノチューブの管状構造を共有していますが、本質的に異なる特性を提供します:電気絶縁性、優れた熱安定性(空気中で最大900°C)、および高い熱伝導率です。約5.5 eVのワイドバンドギャップを持ち、CNTsが苦手とする領域でも一貫した予測可能な性能を提供します。 more

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    フェーズスマートVO₂ナノ粒子:インテリジェントな熱応答、オーダーメイド設計 サーモクロミック色変化材料からインテリジェント温度制御材料へ:二酸化バナジウムおよびタングステンドープVO2の性能革命と応用ブループリント more

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アミノ修飾多層カーボンナノチューブ、mwnt-nh2

多層カーボンナノチューブ、アミノ修飾、純度> 99、外径は10~30nm、30~60nm、60~100nmで利用可能である。

  • 製品起源:

    China
  • 出荷口:

    guangzhou,shenzhen
  • 色:

    black powder
  • 支払い:

    T/T,Paypal
製品詳細

アミノ修飾多層カーボンナノチューブ、mwnt-nh2

アミノ変性多層カーボンナノチューブ(mwnts-nh2)、純度u003e 99%、外径8-30nm、30-60nm、60-100nm、内径5-10nm、平均長さ1-2umまたは5-20umである。

カーボンナノチューブmwnts(アミノ修飾)

フォームパウダー

直径10~30nm、30~60nm、60~100nm

長さ1-2umまたは5-20um

生産方法cvd

在庫#c939

直径、長さ、コンポーネント、機能化などの製品仕様は、要求に応じてカスタマイズ可能です。お願いします

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黒鉛化カーボンナノチューブ、官能化カーボンナノチューブ、官能化カーボンナノチューブ、ニッケル被覆カーボンナノチューブなど、他の官能化カーボンナノチューブも供給しています。詳細についてはお気軽にお問い合わせください。



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Nano Silicon powder 30-50nm 100-200nm - nanomaterial company sale Si nano
シリコン粉末30-50nm 100-200nm - ナノ材料会社販売siナノ

30〜50nmのシリコン粉末100〜200nm、私達のヒット商品と競争力のある商品、顧客の要求を満たすために大量に生産することができます。シリコンナノ粒子は、高純度、狭い範囲の粒径分布、良好な活性および大きな比表面積を有する。それは私達の最も信頼できる高品質の製品の一つです。 名前:元素シリコンパウダー 粒径:30〜50nm、100〜200nm以上 クリスタル:30-50nmの球形、100-200nmのアモルファス 茶色 純度:99.9% ナノシリコンパウダー主に用途: 元素状シリコンナノ粉末は、よく知られ広く使用されている半導体負極材料である。それは半導体および電子産業、LED、ナノ複合材料およびメモリデバイスで使用されています。 半導体部品、パワー部品、集積回路およびエクステンションアンダーレイ。 高屈折率ナノコンポジット。 発光体。 不揮発性メモリデバイス。 ナノシリコンパウダー保存条件: 湿った再結合はその分散性能と使用効果に影響を与えます。したがって、この製品は真空中で密封し、涼しく乾燥した部屋で保管し、空気にさらさないでください。加えて、シリコンナノ粒子は応力下で回避されるべきである。

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