抗菌用酸化亜鉛ナノワイヤ

hwナノ＆nbsp;高純度ナノアルミナ粉末アルファal2o3は石研磨粉として広く使用されています。

ナノテクノロジーの生産最高の品質のパラジウムナノ粒子は、ナノ粒子を購入するように、hwナノを見つける。

ナノ酸化タングステン粉末は、黄色または青色を有し、青色は、紫外線防護窓フィルムに広く使用される。

大きなssaセラミックグレードの酸化マグネシウムナノ粉末 r652：酸化マグネシウムナノ粉末（mgo）、20~30nm、99.9％、白色固体粉末。 の適用 酸化マグネシウムナノ粒子 セラミック分野で 1.セラミックコンデンサ誘電材料の調製。得られるセラミックの粒度を1000nmの範囲で制御することができ、誘電損失が小さく、材料の均一性が良好であり、大容量、高絶縁抵抗、極薄誘電体層を有する積層セラミックコンデンサの製造に適している誘電体層は10μm未満である）。添加量は約0.5〜5％である。 2.ナノ酸化マグネシウム、ナノシリカ、ナノアルミナ、ナノ酸化亜鉛等のナノ酸化マグネシウムを0.5~4.0％含有するナノセラミック粉末であって、得られた遠赤外線を有するナノセラミック粉末放射能、抗菌、活性水、精製水、ヒトの健康に有益な微量元素の溶出、陰イオンの放出、種子の発芽率やその他の健康機能を向上させます。それは様々なセラミック製品、環境保護、繊維、飲料水処理、アルコールやタバコ産業のような機器や容器で広く使用することができます。 3.ナノアルミナ（nano al2o3）、二酸化チタン（tio2）などと一緒に焼結し、貴金属ニッケル/ Niの代わりにナノコンポジットセラミック添加物を得ることができ、耐熱鋼代替物を製造することができる。ナノ酸化マグネシウムの量は5％~18％である。 4.ナノ結晶複合セラミックスは、ナノ二酸化チタン（tio2）を利用し、 酸化マグネシウムナノ粒子 、ナノ希土類酸化物、二酸化ジルコニウム（zro2）を添加し、非晶質zro2の含有量を10〜30wt％に増加させ、高ジルコニウムAl 2 O 3 -Si 2-zro 2セラミックス、ナノ結晶複合セラミックス、含有量が90％以上であり、主相がムライト、クリストバライトおよび正方晶ジルコニアであり、正方晶ジルコニア粒子が1μm以下のサイズで分散している。この方法により、材料の特性は、同じ材料を調製するための従来の方法の特性よりも優れている。硬度は30％増加し、靭性は6％増加し、強度は40％増加した。 ガラスセラミックコーティングは、 酸化マグネシウムナノ粒子 （sio2）、酸化ホウ素、ナノアルミナ（al2o3）、酸化セリウムナノ粒子は、耐摩耗性、硬度、圧縮強度および耐衝撃性を含む触媒の機械的強度を効果的に改善することができる。触媒の活性中心を増強し、それによって触媒の活性を高め、活性成分を節約し、コストを低減する。排ガス浄化処理用のディーゼルエンジンやガソリンエンジンに主に使用されています。ナノ酸化マグネシウム（mgo）の量は5％~18％である。 6.ナノ酸化マグネシウム（mgo）および酸化イットリウム（y2o3）または希土類酸化物をナノコンポジット安定剤として使用し、機械的特性および耐高温老化性に優れた部分安定化ジルコニアセラミックスを製造する高靭性セラミック材料の製造。セラミック材料は、高温エンジニアリング部品および高度耐火物に広く使用することができる。 抗減縮性誘電体セラミック材料の補助成分として。添加量は0.001〜10モル％ 8.片側二酸化炭素ガス遮蔽アーク溶接セラミック板材として。そのナノモルゴの添加量は1〜10重量％ 9.ガラスセラミックス、ナノシリカ（sio2）、ナノ二酸化チタン（tio2）、ナノアルミナ（al2o3）、ナノマグネシウム酸化物（mgo）焼結ガラスセラミックスは、フロートガラス法により、特に薄膜ディスプレイ及び太陽電池に特に適用可能である。ナノ酸化マグネシウム（mgo）の量が6％~20％である、請求項1に記載の方法。 ゴシック様式

HONGWU NANO 工場直販 Zic Oxide Nanowires。触媒、抗菌、センサー等への応用が可能です。

znoナノワイヤは、新しい種類の半導体材料です。

酸化亜鉛ナノワイヤは、感光材料として広く使用されている

酸化亜鉛ナノワイヤ/ナノワイヤは、ショットキ接触型デバイスの製造のための理想的な材料として hongwuナノメートルは、中国のナノ材料のための中国の専門メーカー、サプライヤー、輸出業者です。当社の酸化亜鉛ナノワイヤの仕様は次のとおりです。 1.d：20~80nm、1：2um、99.9％ 2.d：u003c50nm、1：1-2um、99.9％ 3.d：u003c120nm、1：1~3um、99.9％ 核酸検出として、より多くの広く遺伝子タイピング技術、臨床診断や生物医学の研究や他の分野に適用されるように、従来の光学検出とリアルタイムのpcr技術は、高コストなどのいくつかの欠点を持って、もはやデバイスは、費用対効果の高い、高速で高感度のテストを必要とします。対照的に、高い比表面積のために、マークされていない検出装置によって表される1次元材料は、低コストで、簡単で効果的なdna試験の可能性を提供することができる。半導体ナノワイヤに基づくFETは、そのような可能性の高いデバイスである。ショットキ障壁高さ（sbh）の金属 - 半導体界面を変化させることは、研究者のためのホットスポットであるデバイス性能を変調することができる。 酸化亜鉛ナノワイヤ/ナノワイヤ 優れた半導体および圧電性能を備え、ショットキー接触型デバイスの製造に理想的な材料です。ナノサイエンスおよび他の機関の国立センターの研究者は、酸化亜鉛ナノワイヤ上に発揮する外部歪みを利用して圧電電位を生成した。圧電効果に基づいて、ポテンシャルはキャリア輸送のsbhリンク界面の影響を増減することができ、ナノワイヤベースのデバイスの特性を変更することができます。さらに、プローブ相補性標的cdnaとナノワイヤが吸着した一本鎖dna（ssdna）との間で特異的ハイブリダイゼーションを行うことにより、選択的検出機能を達成することができる。 この研究の実験結果は、酸化亜鉛ナノワイヤベースのdnaセンサに適用された圧縮歪みが-0.59％になったとき、電流応答の相対値が454％増加したことを示した。これは、圧電素子エレクトロニクス効果を使用する修正された方法が、ショットキーコンタクト型zナノワイヤベースのdnaセンサの検出性能を大幅に改善できることを十分に示している。 ゴシック様式