一次元のナノ材料が結晶化し、半導体膜はドープされた壁のカーボンナノチューブ
仕様：2-5nm、1-2umまたは5-20umの長さ、u003e 91％の純度。
二重壁カーボンナノチューブは、純粋な炭素に基づいて最終的な一次元線であると考えられる。二重壁カーボンナノチューブは欠陥のない、ナノメートル上に原子精度の滑らかな表面を有し、軸受の希望を製造する。 dwntsは、軸方向に振動の内側と外側の層の間に両端を開いて、ghzレベルにすることができます、ナノ発振器の準備のための良い材料です。
二重壁カーボンナノチューブは、キラルパラメータの内層と外層との間の重要な単層カーボンナノチューブと多層カーボンナノチューブとの間の一次元材料であり、0.33nm〜0.42nmの内外チューブ間隔が一般的である多層多層カーボンナノチューブの間隔。二重壁カーボンナノチューブに導かれた弱い相互作用チューブの内層と外層との間の二重壁カーボンナノチューブのために独特なバンド構造を有するので、独特の電気的および光学的特性を有することが期待できる。
二重壁カーボンナノチューブおよび一重壁カーボンナノチューブ電気特性は、多層カーボンナノチューブとは異なるが、室温で導体と同様の性能を示す。温度が上昇するにつれて、二重壁カーボンナノチューブ抵抗率は、最初の上昇傾向の後に減少し、最小点抵抗率が存在する。半導体体変換ガイドtk特性温度からの二重壁カーボンナノチューブフィルムは、単一の単層カーボンナノチューブ束35kよりも低い32kに達することができる。
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