グラフェン 単層グラファイトである。少数層グラフェンは、その電子特性において高度に結晶質で半金属的であることが示されている。原子的に平坦なものは、小さな、重なり合った価電子帯と伝導帯を有する両極性であることが判明した。グラフェンの幅が減少し、量子閉じ込めとエッジ効果の両方が顕著になるため、1次元グラフェンシートは1次元グラフェンシートに還元され、1次元グラフェンバボリボン（gnr）に還元される。これは、先の研究とは対照的に、 gnrsのエネルギーギャップはすべて12nFであり、計算は12-14fused芳香族環系で実施され、gnrsの幅は〜3nmであった。

非常に高い移動度、ゲート電圧制御された電子または正孔キャリア、および同調可能なバンドギャップは、ナノスケールの電子工学にはgnpsが理想的であり、エネルギーギャップがナノデバイスにとって有益であるgnrs.gnrsの大規模合成に大きな関心を寄せていることを示唆しているナノチューブの3分の1が金属であると予想されるswntと比較して、この固有の半導電性は、高速で高速な半導体ナノデバイスの簡略化を著しく簡素化する可能性がある。近年、比較的大規模な合成が実現されている約350μmスケールのグラファイトフレークを硫酸および窒化物酸と1000℃で1分間にインターカレーションし、1,2-ジクロロエタン中で超音波破砕した膨張性黒鉛を剥離することによってプロセスを開始するgnrsを分散させ、懸濁液および少数層のグラフェンリボンおよびシートを遠心分離することによって調製される。

蒸留塔の測定では、10nm未満のすべての小塊が半導体であることが示されています。最近、2つの記事がcntsの縦方向の解凍を報告し、狭い均一なgnrを生成しました。電気伝導度を回復させるには化学的還元工程が必要である。第2のものもまた、mwntsで始まるが、siウェハ上に広がり、多面体で被覆されたpmmaを剥離し、エッチングされたarプラズマに曝露する10nm以下の幅を有するm層の層部分が準備されており、実用化のために大規模で良好に位置合わせされた半導体ナノデバイスが可能であることを示唆している。