最高の製品輸入シリコンカーバイドウィスカー/ sic-w中国メーカー
仕様：
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ミクロンスケール
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サブミクロンスケール
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直径
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0.1-2.5um
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＆lt; 1um
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純度
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99％
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98％
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l / d比
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＆gt; = 20
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＆gt; = 20
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見た目
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ローレルグリーンパウダー
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灰色がかった緑色の粉末
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分解温度（k）
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2973
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2973
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加熱力（kj / mol）
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30.343
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30.343
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線膨張係数（373k）
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6.58×10 -6
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6.58×10 -6
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線膨張係数（1173k）
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2.98×10 -6
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2.98×10 -6
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圧縮係数：
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0.21×10 -6
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0.21×10 -6
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密度（288k）（g / cm 3）
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3.216
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3.216
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硬度（mohs）
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9.5
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9.5
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炭化ケイ素の使用について：
-----予め分散した水とエタノールを媒体分散液として機械的に混合した後、マトリックス材料と混合した後、 炭化ケイ素ウィスカー 。
一般的に一般的なセラミックが1〜10％の量で添加されると、基材の真密度が大きくなり、炭化ケイ素ウィスカーの添加量が低下する。有機材料の添加量は0.5〜3％である。
------シリコンカーバイドウィスカーとセラミック材料を混合する場合は、湿式粉砕の機械的攪拌またはスラリーを推奨し、高強度混合条件で炭化ケイ素ウィスカーを減らしてオッズを壊すことができます。
------半導体と触媒のテストは、親切にも、最高の結果を達成するために研究の活動を増やすためにソルベントを取り除く顧客の酸洗いをお勧めします。
------- 好気的条件では、ウィスカーの加熱温度は700℃を超えてはならない。
シリコンカーバイドウィスカーの詳細については、私に自由にご連絡ください。
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